3, 7, .., 49,（） A: 52 B: 61 C: 73 D: 84
3, 7, .., 49,（） A: 52 B: 61 C: 73 D: 84
找规律填上正确的数：3、6、21、42、84、69、______。
找规律填上正确的数：3、6、21、42、84、69、______。
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
对一组数据（84，47，25，15，21）排序，数据的排列次序在排序的过程中的变化为 （1） 84 47 25 15 21 （2） 15 47 25 84 21 （3） 15 21 25 84 47 （4） 15 21 25 47 84 则采用的排序是 ( )。
对一组数据（84，47，25，15，21）排序，数据的排列次序在排序的过程中的变化为 （1） 84 47 25 15 21 （2） 15 47 25 84 21 （3） 15 21 25 84 47 （4） 15 21 25 47 84 则采用的排序是 ( )。
84 79 23 11 10[br][/br]① ② ① ④ ③ ① ① ③ ⑨ ① ① ③[br][/br]平均查找长度ASL=____/12=30/3=3
84 79 23 11 10[br][/br]① ② ① ④ ③ ① ① ③ ⑨ ① ① ③[br][/br]平均查找长度ASL=____/12=30/3=3
判断直线AB、CD、EF的相对位置[img=254x289]17e445ec2d7d643.png[/img]1：AB与CD2：CD与EF3：AB与EF A: 1交叉，2相交，3相交 B: 1相交，2相交，3相交 C: 1交叉，2交叉，3相交 D: 1交叉，2相交，3交叉
判断直线AB、CD、EF的相对位置[img=254x289]17e445ec2d7d643.png[/img]1：AB与CD2：CD与EF3：AB与EF A: 1交叉，2相交，3相交 B: 1相交，2相交，3相交 C: 1交叉，2交叉，3相交 D: 1交叉，2相交，3交叉
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
下列直线EF不属于平面的是[img=606x161]17e444dc2863909.png[/img]123 A: 1、2 B: 1、3 C: 2、3 D: 1、2、3
下列直线EF不属于平面的是[img=606x161]17e444dc2863909.png[/img]123 A: 1、2 B: 1、3 C: 2、3 D: 1、2、3
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev