欧洲标准基因座包括 A: D21S11 B: DYS448 C: FGA D: TH01

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？ A: VGS>VGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th)，VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th)，VDSVGS-VGS(th)

N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

管桩新国家标准的发布日期和实施日期分别为（）。 A: 2009/03/28；2010/03/01 B: 2010/01/01；2011/01/01 C: 2001/01/01；2012/03/01 D: 2008/07/01；2009/05/01

下列数据中，（）是日期型常量。 A: {^2005/01/01} B: "2005/01/01" C: 2005/01/01 D: 2005-01-01

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是： A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

找出括号里读音不同的单词。 A: (th)ese B: ba(th) C: (th)ink D: heal(th)

找出括号里读音不同的单词。 A: (th)e B: (th)at C: mo(th)er D: (th)ick

下列比例中表示缩小比例的是（）。 A: 02:01 B: 01:02 C: 05:01 D: 01:01