如图，四边形EFGH是由四边形ABCD平移得到的，已知AD＝5，∠B＝70°，则（） A: FG＝5，∠G＝70° B: EH＝5，∠F＝70° C: EF＝5，∠F＝70° D: EF＝5，∠E＝70°
如图，四边形EFGH是由四边形ABCD平移得到的，已知AD＝5，∠B＝70°，则（） A: FG＝5，∠G＝70° B: EH＝5，∠F＝70° C: EF＝5，∠F＝70° D: EF＝5，∠E＝70°
如图，AB∥DC，DE=2AE，CF=2BF，且DC=5，AB=8，则EF= ．
如图，AB∥DC，DE=2AE，CF=2BF，且DC=5，AB=8，则EF= ．
如图，在梯形ABCD中，AB∥CD，E是BC的中点，EF⊥AD于点F，AD＝4，EF＝5，则梯形ABCD的面积是（ ）
如图，在梯形ABCD中，AB∥CD，E是BC的中点，EF⊥AD于点F，AD＝4，EF＝5，则梯形ABCD的面积是（ ）
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
下列4组条件中，能判定△ABC∽△DEF的是[ ] [br][/br]A．AB=5，BC=4，∠A=45°；DE=10，EF=8，∠D=45° [br][/br]B．∠A=45°，∠B=55°；∠D=45°，∠F=75° [br][/br]C．BC=4，AC=6，AB=9；DE=18，EF=8，DF=12 [br][/br]D．AB=6，BC=5，∠B=40°；DE=5，EF=4，∠E=40°
下列4组条件中，能判定△ABC∽△DEF的是[ ] [br][/br]A．AB=5，BC=4，∠A=45°；DE=10，EF=8，∠D=45° [br][/br]B．∠A=45°，∠B=55°；∠D=45°，∠F=75° [br][/br]C．BC=4，AC=6，AB=9；DE=18，EF=8，DF=12 [br][/br]D．AB=6，BC=5，∠B=40°；DE=5，EF=4，∠E=40°
介入试验后较静息态EF值增加的标准为() A: >5% B: >10% C: >2% D: >5% E: >20%
介入试验后较静息态EF值增加的标准为() A: >5% B: >10% C: >2% D: >5% E: >20%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0