一个晶格常数为a的二维正方晶格，（1）用紧束缚近似求S能带表示式，能带顶和能带底的位置以及能带宽度；（2）求能带底电子和能带顶空穴的有效质量；（3）写出s能带电子的速度表示式。
举一反三
- 巳知-维晶体的电子能带可写成:[tex=18.0x2.786]ymMmzH75IXPdnkC6tT9GTEB046Q599wPc5id5QmvTvwicwRKAb/nRElTISPHJPdoZuMzmsNgBzl8g6No2VTOXMrqfYqbPQL1dzzM0v3IO8fY7DHdIuxqmXBfPmPONxs6hYK3LzpJ7wA2LfqF+77q6g==[/tex]式中,a为晶格常数。试求:(1)能带的宽度；(2)电子的波矢k状态时的速度；(3)能带底部和顶部电子的有效质量。
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一维晶体的电子能带可写为，式中为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量[tex=1.286x1.357]OTI0zV+jj6P2TOlomC9fBQ==[/tex]；（5）能带顶部空穴的有效质量[tex=1.286x1.5]oUc8VQR0ctwKHdljRVeFpg==[/tex]。[br][/br]
- 能带宽度是指能带顶的能量与能带底的能量之差。
- 半导体载流子有效质量大小跟能带的关系是(<br/>) A: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越大 B: 能带底或能带顶附近E-k抛物线变化越陡有效质量值越小 C: 能带底或能带顶附近能带简并度越高有效质量越小 D: 没有明确的关系