下列二极管正向压降正确的是（ ） A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
下列二极管正向压降正确的是（ ） A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
硅二极管正向导通时，其两端电压约为（ ）V A: 0.7 B: 0 C: 0.2 D: -0.7
硅二极管正向导通时，其两端电压约为（ ）V A: 0.7 B: 0 C: 0.2 D: -0.7
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
TTL与非门输入端的电压超过 V时，输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
TTL与非门输入端的电压超过 V时，输出端将跳变为低电平。 A: 0.7 V B: 1.4 V C: 0.3 V D: 2.1V
V带传动中心距的合理范围为() A: 0.7(d1+d2)
V带传动中心距的合理范围为() A: 0.7(d1+d2)
如图电路中，VC=-12 V，VA=+3 V，VB=0 V。设二极管正向管压降为0.7 V，则VF=______ V。https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/802f66b4b3da021c855fc696630ce444.png
如图电路中，VC=-12 V，VA=+3 V，VB=0 V。设二极管正向管压降为0.7 V，则VF=______ V。https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/802f66b4b3da021c855fc696630ce444.png
2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
晶体管(硅管)的Ube为 V。 A: 0.15 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
晶体管(硅管)的Ube为 V。 A: 0.15 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7