硅材料二极管的导通电压是( ) A: 0.1~0.2V B: 0.1 ~0.3 V C: 0.3 ~0.5 V D: 0.6~0.8V
硅材料二极管的导通电压是( ) A: 0.1~0.2V B: 0.1 ~0.3 V C: 0.3 ~0.5 V D: 0.6~0.8V
一个氢原子的大小约为() A: 0.1~0.3 纳米; B: 0.1~0.3 皮米; C: 0.1~0.3 毫米; D: 0.1~0.3 微米.
一个氢原子的大小约为() A: 0.1~0.3 纳米; B: 0.1~0.3 皮米; C: 0.1~0.3 毫米; D: 0.1~0.3 微米.
硅材料二极管的死区电压为()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
硅材料二极管的死区电压为()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
一般硅二极管死区电压为小于()V。 A: 0.7 B: 0.5 C: 0.3 D: 0.1
一般硅二极管死区电压为小于()V。 A: 0.7 B: 0.5 C: 0.3 D: 0.1
在常温下,硅二极管的死区电压约为()V A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
在常温下,硅二极管的死区电压约为()V A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
锗pn结的正向导通电压大约为( )V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
锗pn结的正向导通电压大约为( )V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
硅材料三极管导通后[img=25x17]17e0b647144d4e4.jpg[/img]=()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
硅材料三极管导通后[img=25x17]17e0b647144d4e4.jpg[/img]=()V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
硅二极管导通压降约为( )V。 A: 0.1~0.2 B: 0.2~0.3 C: 0.4~0.5 D: 0.6~0.7
硅二极管导通压降约为( )V。 A: 0.1~0.2 B: 0.2~0.3 C: 0.4~0.5 D: 0.6~0.7
导通后二极管两端电压变化很小,锗管约为V() A: 0.5 B: 0.7 C: 0.3 D: 0.1
导通后二极管两端电压变化很小,锗管约为V() A: 0.5 B: 0.7 C: 0.3 D: 0.1
print( 0.1 0.2 == 0.3 )
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