2. 自信息量是( )。 A: 非正值 B: 非负值 C: 可正可负值
2. 自信息量是( )。 A: 非正值 B: 非负值 C: 可正可负值
5.卡方分布（） A: 是只取非负值的偏态分布 B: 是只取非负值的正态分布 C: 是只取负值的正态分布 D: 是只取负值的偏态分布
5.卡方分布（） A: 是只取非负值的偏态分布 B: 是只取非负值的正态分布 C: 是只取负值的正态分布 D: 是只取负值的偏态分布
设计一算法，在尽可能少的时间内重排数组，使所有取负值的关键词放在所有取非负值的关键词之前，并分析算法的时间复杂度。
设计一算法，在尽可能少的时间内重排数组，使所有取负值的关键词放在所有取非负值的关键词之前，并分析算法的时间复杂度。
权的Delta为（ ），卖权的Delta是（ ）。 A: 正值，正值 B: 正值，负值 C: 负值，正值 D: 负值，负值
权的Delta为（ ），卖权的Delta是（ ）。 A: 正值，正值 B: 正值，负值 C: 负值，正值 D: 负值，负值
绝对高程无负值、相对高程有负值。
绝对高程无负值、相对高程有负值。
力矩和力偶矩都规定：使物体顺时针转动取（ ），逆时针转动取（ ）。 A: 正值、负值 B: 负值、正值 C: 正值、正值 D: 负值、负值
力矩和力偶矩都规定：使物体顺时针转动取（ ），逆时针转动取（ ）。 A: 正值、负值 B: 负值、正值 C: 正值、正值 D: 负值、负值
能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为 A: 正值，正值 B: 正值，负值 C: 负值，正值 D: 负值，负值
能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为 A: 正值，正值 B: 正值，负值 C: 负值，正值 D: 负值，负值
13.绝对高程无负值，相对高程有负值。
13.绝对高程无负值，相对高程有负值。
N沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）。 A: 正值，负值 B: 负值，正值 C: 正值，正值 D: 负值，负值
N沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）。 A: 正值，负值 B: 负值，正值 C: 正值，正值 D: 负值，负值
净投资可以是负值，但总投资不可能是负值。（）
净投资可以是负值，但总投资不可能是负值。（）