• 2022-06-09 问题

    佳能EF50mmf/1.8STM镜头属于变焦镜头

    佳能EF50mmf/1.8STM镜头属于变焦镜头

  • 2022-06-11 问题

    下列属于变焦镜头的是() A: 佳能(Canon)EF50MMf/1.8STM B: 佳能(CANON)EF50MMF/1.8II C: 佳能(Canon)EF17-40MMf/4LUSM D: 佳能镜头EF-S55-250MMF/4-5.6ISⅡ

    下列属于变焦镜头的是() A: 佳能(Canon)EF50MMf/1.8STM B: 佳能(CANON)EF50MMF/1.8II C: 佳能(Canon)EF17-40MMf/4LUSM D: 佳能镜头EF-S55-250MMF/4-5.6ISⅡ

  • 2022-11-04 问题

    假设 Ef 为费米能级, f ( E )为电子的费米分布函数,下列说法错误的是()。 A: 若 E く Ef ,则 f ( E )>1/2,说明该能级被电子占据的概率大于50% B: 若 E く Ef ,则 f ( E )>1/2,说明该能级被电子占据的概率小于50% C: 若 E < Ef ,则 f ( E )く1/2,说明该能级被电子占据的概率小于50% D: 若 E く Ef ,则 f ( E )<1/2,说明该能级被电子占据的概率大于50%

    假设 Ef 为费米能级, f ( E )为电子的费米分布函数,下列说法错误的是()。 A: 若 E く Ef ,则 f ( E )>1/2,说明该能级被电子占据的概率大于50% B: 若 E く Ef ,则 f ( E )>1/2,说明该能级被电子占据的概率小于50% C: 若 E < Ef ,则 f ( E )く1/2,说明该能级被电子占据的概率小于50% D: 若 E く Ef ,则 f ( E )<1/2,说明该能级被电子占据的概率大于50%

  • 2021-04-14 问题

    多模光纤( MMF )线缆的传输距离为 550m-2km 。

    多模光纤( MMF )线缆的传输距离为 550m-2km 。

  • 2022-06-04 问题

    表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+

    表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+

  • 2022-06-01 问题

    有关左心室射血分数(EF)的描述,下列不正确的是 A: 射血分数用来反映左心室的泵血功能 B: EF=SV/CO C: EF=SV/EDV D: EF静息状态下至少应≥50% E: 左心室射血分数虽然受心脏后负荷的影响,但它仍是反映左心室收缩功能的可靠指标

    有关左心室射血分数(EF)的描述,下列不正确的是 A: 射血分数用来反映左心室的泵血功能 B: EF=SV/CO C: EF=SV/EDV D: EF静息状态下至少应≥50% E: 左心室射血分数虽然受心脏后负荷的影响,但它仍是反映左心室收缩功能的可靠指标

  • 2022-05-29 问题

    膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%

    膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%

  • 2022-05-29 问题

    设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx

    设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx

  • 2022-11-04 问题

    在热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%,如果温度大于热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。

    在热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%,如果温度大于热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。

  • 2022-06-30 问题

    金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev

    金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev

  • 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10