中国大学MOOC: 实际漏结击穿电压比理论值要( )。

实际漏结击穿电压比理论值要( )。 A: 高 B: 一致 C: 低 D: 无法确定

场效应晶体管器件中的寄生电容包括（ ） A: 直接交叠区电容 B: 外部交叠区电容 C: 源漏结电容 D: 内部交叠区电容

当结完帐的客人正在与自己朋友聊天未离店时，若这时才发现该客人有一笔帐漏结时，该如何处理？

MOS管中，导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制：增加VDS将使漏结的耗尽区加大，从而增加了有效沟道的长度。

MOS管中，导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制：增加VDS将使漏结的耗尽区加大，从而增加了有效沟道的长度。 A: 正确 B: 错误