2MOSFET是一种()控制型单极晶体管 A: 电流 B: 电压 C: 功率 D: 阻抗
2MOSFET是一种()控制型单极晶体管 A: 电流 B: 电压 C: 功率 D: 阻抗
IGBT是一个复合型的器件，它是 A: GTR驱动的MOSFET B: MOSFET驱动的GTR C: MOSFET驱动的晶闸管 D: MOSFET驱动的GTO
IGBT是一个复合型的器件，它是 A: GTR驱动的MOSFET B: MOSFET驱动的GTR C: MOSFET驱动的晶闸管 D: MOSFET驱动的GTO
已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;
在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时， 电路不可能正常放大。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET
在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时， 电路不可能正常放大。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET
在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR
在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR
用MOSFET设计放大电路，需要使MOSFET工作在（）
用MOSFET设计放大电路，需要使MOSFET工作在（）
IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,
IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,
2MOSFET(场效应晶体管)属于 A: 全控型器件 B: 电流性驱动型器件 C: 半控型器件 D: 不可控器件
2MOSFET(场效应晶体管)属于 A: 全控型器件 B: 电流性驱动型器件 C: 半控型器件 D: 不可控器件
下图为（ ）管的特性曲线图。(填写N沟道耗尽型MOSFET/P沟道耗尽型MOSFET/N沟道增强型MOSFET)
下图为（ ）管的特性曲线图。(填写N沟道耗尽型MOSFET/P沟道耗尽型MOSFET/N沟道增强型MOSFET)
MOSFET适用于
MOSFET适用于