N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS<;0,UDS>;0 B: UGS>;0,UDS>;0 C: UGS<;0,UDS<;0 D: UGS>;0,UDS<;0
为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS<;0,UDS>;0 B: UGS>;0,UDS>;0 C: UGS<;0,UDS<;0 D: UGS>;0,UDS<;0
增强型MOS管在 uGS >0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通。
增强型MOS管在 uGS >0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通。
增强型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可导通。
增强型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可导通。
为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区,应满足 。 A: uGS>0,uDS<0 B: uGS>0,uDS>0 C: uGS<0,uDS>0 D: uGS<0,uDS<0
为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区,应满足 。 A: uGS>0,uDS<0 B: uGS>0,uDS>0 C: uGS<0,uDS>0 D: uGS<0,uDS<0
N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS A: UGS>;0 B: UGS<;0 C: UGS可正可负
N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS A: UGS>;0 B: UGS<;0 C: UGS可正可负
耗尽型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可工作在恒流区。
耗尽型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可工作在恒流区。
耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。 A: UGS>UT B: UGS<UT C: UGS=0 D: UGS<UP
耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。 A: UGS>UT B: UGS<UT C: UGS=0 D: UGS<UP
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0