• 2022-06-14 问题

    N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

    N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

  • 2022-10-30 问题

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

  • 2022-07-26 问题

    为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS<;0,UDS>;0 B: UGS>;0,UDS>;0 C: UGS<;0,UDS<;0 D: UGS>;0,UDS<;0

    为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS<;0,UDS>;0 B: UGS>;0,UDS>;0 C: UGS<;0,UDS<;0 D: UGS>;0,UDS<;0

  • 2021-04-14 问题

    增强型MOS管在 uGS >0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通。

    增强型MOS管在 uGS >0、 uGS <0、 uGS =0时均可导通。

  • 2021-04-14 问题

    增强型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可导通。

    增强型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可导通。

  • 2022-11-01 问题

    为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区,应满足 。 A: uGS>0,uDS<0 B: uGS>0,uDS>0 C: uGS<0,uDS>0 D: uGS<0,uDS<0

    为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区,应满足 。 A: uGS>0,uDS<0 B: uGS>0,uDS>0 C: uGS<0,uDS>0 D: uGS<0,uDS<0

  • 2022-07-26 问题

    N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS A: UGS>;0 B: UGS<;0 C: UGS可正可负

    N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS A: UGS>;0 B: UGS<;0 C: UGS可正可负

  • 2021-04-14 问题

    耗尽型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可工作在恒流区。

    耗尽型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可工作在恒流区。

  • 2022-07-28 问题

    耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。 A: UGS>UT B: UGS<UT C: UGS=0 D: UGS<UP

    耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。 A: UGS>UT B: UGS<UT C: UGS=0 D: UGS<UP

  • 2022-10-30 问题

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS&gt;UGS(th) C: UGS&gt;0 D: UGS&lt;0

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS&gt;UGS(th) C: UGS&gt;0 D: UGS&lt;0

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