一个RL串联电路的阻抗Z=6+j8Ω，该电路的电阻、感抗及功率因数角分别为( ) A: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan4/3 B: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan4/3 C: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan3/4 D: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan3/4
一个RL串联电路的阻抗Z=6+j8Ω，该电路的电阻、感抗及功率因数角分别为( ) A: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan4/3 B: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan4/3 C: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan3/4 D: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan3/4
int a=6, b=7, c=8, r
int a=6, b=7, c=8, r
一个递增有序表为R[0..11]，采用折半查找方法进行查找，在一次不成功查找中，以下（ ）是不可能的记录比较序列。 A: R[5]、R[8]、R[6] B: R[5]、R[8]、R[10] C: R[5]、R[2]、R[3] D: R[5]、R[8]、R[6]、R[7]
一个递增有序表为R[0..11]，采用折半查找方法进行查找，在一次不成功查找中，以下（ ）是不可能的记录比较序列。 A: R[5]、R[8]、R[6] B: R[5]、R[8]、R[10] C: R[5]、R[2]、R[3] D: R[5]、R[8]、R[6]、R[7]
画出普通外圆车刀标注角度图。已知γo=15,αo=8°,κr=45°,κr’=45°,τs=6°,αo'=8°
画出普通外圆车刀标注角度图。已知γo=15,αo=8°,κr=45°,κr’=45°,τs=6°,αo'=8°
图中所示电路，R＝（）。 A: 2Ω B: 8Ω C: 6Ω D: 4Ω
图中所示电路，R＝（）。 A: 2Ω B: 8Ω C: 6Ω D: 4Ω
下图所示电路中,负载电阻RL获得最大功率的条件是 A: R=6Ω B: R=8Ω C: R=2Ω D: R=3Ω
下图所示电路中,负载电阻RL获得最大功率的条件是 A: R=6Ω B: R=8Ω C: R=2Ω D: R=3Ω
当R=6，G=8，B=10时，在HIS模型中，S=0.2。（ ）
当R=6，G=8，B=10时，在HIS模型中，S=0.2。（ ）
IA-32中指令“MOV EDX,8(EBP)"的功能是（） A: M[R[EBP]+8]← R[EDX] B: R[EDX]←M[R[EBP]+8] C: R[EBP]+8← R[EDX] D: R[EDX]← R[EBP]+8
IA-32中指令“MOV EDX,8(EBP)"的功能是（） A: M[R[EBP]+8]← R[EDX] B: R[EDX]←M[R[EBP]+8] C: R[EBP]+8← R[EDX] D: R[EDX]← R[EBP]+8
IA-32 中指令 “movl 8(%ebp), %edx"的功能是 ____? A: M[R[ebp]+8]←R[edx] B: R[edx]←M[R[ebp]+8] C: R[ebp]+8←R[edx] D: R[edx]←R[ebp]+8
IA-32 中指令 “movl 8(%ebp), %edx"的功能是 ____? A: M[R[ebp]+8]←R[edx] B: R[edx]←M[R[ebp]+8] C: R[ebp]+8←R[edx] D: R[edx]←R[ebp]+8
以下3GPP版本R（）不支持LTE技术？ A: 5 B: 6 C: 7 D: 8
以下3GPP版本R（）不支持LTE技术？ A: 5 B: 6 C: 7 D: 8