1、满足（）条件，该放大电路为同相放大电路。 A: Vp=0，Vn≠0 B: Vp=0，Vn=0 C: Vp≠0，Vn=0 D: Vp≠0，Vn≠0

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2022-06-16 问题

1、满足（）条件，该放大电路为同相放大电路。 A: Vp=0，Vn≠0 B: Vp=0，Vn=0 C: Vp≠0，Vn=0 D: Vp≠0，Vn≠0

2022-07-28 问题

一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、IDSS分别为（）。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img] A: VP=-4V ,IDSS=0 B: VT=-4V, IDSS=0 C: VP=-4V, IDSS=3mA D: VT=-4V, IDSS=3mA

一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、IDSS分别为（）。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img] A: VP=-4V ,IDSS=0 B: VT=-4V, IDSS=0 C: VP=-4V, IDSS=3mA D: VT=-4V, IDSS=3mA

2022-06-30 问题

对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大

对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大

2022-07-23 问题

室温下，理想气体分子速率分布曲线如图所示，f(vp)表示速率在最概然速率vp附近单位速率区间内的分子数占总分子数的百分比，那么，当气体的温度降低时，则［］[img=175x145]1803bcaacb1bec2.png[/img] A: vp变小，而f(vp)不变 B: vp和f(vp)都变小. C: vp变小，而f(vp)变大. D: vp不变，而f(vp)变大．

室温下，理想气体分子速率分布曲线如图所示，f(vp)表示速率在最概然速率vp附近单位速率区间内的分子数占总分子数的百分比，那么，当气体的温度降低时，则［］[img=175x145]1803bcaacb1bec2.png[/img] A: vp变小，而f(vp)不变 B: vp和f(vp)都变小. C: vp变小，而f(vp)变大. D: vp不变，而f(vp)变大．

2022-05-26 问题