对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。
A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0
B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0
C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和
D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0
B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0
C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和
D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
举一反三
- 下面关于N沟道增强型场效应管，描述正确的是（ ）。 A: 只要vDS>;0，就会产生漏极电流 B: 只有vGS>;vT>;0，才能产生导电沟道 C: vGS越大，沟道的导电能力越强，在vDS相同时产生的漏极电流也越大 D: 因为漏极电流ID受栅源电压vGS控制，故其大小只和vGS有关，而和vDS无关
- 中国大学MOOC: 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- 假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。