如图,四边形EFGH是由四边形ABCD平移得到的,已知AD=5,∠B=70°,则() A: FG=5,∠G=70° B: EH=5,∠F=70° C: EF=5,∠F=70° D: EF=5,∠E=70°
如图,四边形EFGH是由四边形ABCD平移得到的,已知AD=5,∠B=70°,则() A: FG=5,∠G=70° B: EH=5,∠F=70° C: EF=5,∠F=70° D: EF=5,∠E=70°
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表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*(b+c-d)+e*f的前缀表达式是:()。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
下列4组条件中,能判定△ABC∽△DEF的是[ ] [br][/br]A.AB=5,BC=4,∠A=45°;DE=10,EF=8,∠D=45° [br][/br]B.∠A=45°,∠B=55°;∠D=45°,∠F=75° [br][/br]C.BC=4,AC=6,AB=9;DE=18,EF=8,DF=12 [br][/br]D.AB=6,BC=5,∠B=40°;DE=5,EF=4,∠E=40°
下列4组条件中,能判定△ABC∽△DEF的是[ ] [br][/br]A.AB=5,BC=4,∠A=45°;DE=10,EF=8,∠D=45° [br][/br]B.∠A=45°,∠B=55°;∠D=45°,∠F=75° [br][/br]C.BC=4,AC=6,AB=9;DE=18,EF=8,DF=12 [br][/br]D.AB=6,BC=5,∠B=40°;DE=5,EF=4,∠E=40°
如图,AB∥DC,DE=2AE,CF=2BF,且DC=5,AB=8,则EF= .
如图,AB∥DC,DE=2AE,CF=2BF,且DC=5,AB=8,则EF= .
如图,在梯形ABCD中,AB∥CD,E是BC的中点,EF⊥AD于点F,AD=4,EF=5,则梯形ABCD的面积是( )
如图,在梯形ABCD中,AB∥CD,E是BC的中点,EF⊥AD于点F,AD=4,EF=5,则梯形ABCD的面积是( )
介入试验后较静息态EF值增加的标准为() A: >5% B: >10% C: >2% D: >5% E: >20%
介入试验后较静息态EF值增加的标准为() A: >5% B: >10% C: >2% D: >5% E: >20%
设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx
设f(x)可微,则d(ef(x))=()。 A: f,(x)dx B: ef(x)dx C: f,(x)ef(x)dx D: ef,(x)dx
膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性,根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时,即可定为膨胀土。 A: δef<20% B: 20%≤δef<30% C: 30%≤δef<40% D: δef≥40%
金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev
金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时, 有( )。 A: EF>Ei B: EF=Ei C: EF<Ei D: EF<Ev