使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入
使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入
铝塑板中间材料，真正PE完全燃烧，掺杂使假的燃烧后有杂质（ ）。
铝塑板中间材料，真正PE完全燃烧，掺杂使假的燃烧后有杂质（ ）。
使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
假设你需要验证一个形如 ∀x(P(x)∧Q(x)) 的猜想，为了说明这个猜想是假的，你必须证明下面哪个说法？ A: 存在一个 x1 使 P(x1) 为假，且存在一个 x2 使 Q(x2) 为假 B: 存在一个 x ，要么使 P(x) 为假，要么使 Q(x) 为假 C: 对于每一个x，使得 P(x)、Q(x) 均为假 D: 对于每一个x，要么使 P(x) 为假，要么使 Q(x) 为假
假设你需要验证一个形如 ∀x(P(x)∧Q(x)) 的猜想，为了说明这个猜想是假的，你必须证明下面哪个说法？ A: 存在一个 x1 使 P(x1) 为假，且存在一个 x2 使 Q(x2) 为假 B: 存在一个 x ，要么使 P(x) 为假，要么使 Q(x) 为假 C: 对于每一个x，使得 P(x)、Q(x) 均为假 D: 对于每一个x，要么使 P(x) 为假，要么使 Q(x) 为假
BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以使用时不能互换
由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以使用时不能互换
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂