AlGaInP体系808LD程序中量子阱生长材料是（） A: GaAsP B: AlGaInP C: AlGaAs D: AlInP

关于量子阱与二维电子气，以下说法正确的是？ A: 能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱。 B: 量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的。 C: 把量子阱中的电子称为二维电子气（2DEG）。 D: n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱。