半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体,其分子式为()。 A: SiH B: SiH C: SiH D: SiH
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体,其分子式为()。 A: SiH B: SiH C: SiH D: SiH
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体,其分子式为()。 A: SiH<sub>2</sub> B: SiH C: SiH<sub>3</sub> D: SiH<sub>4</sub>
半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体,其分子式为()。 A: SiH<sub>2</sub> B: SiH C: SiH<sub>3</sub> D: SiH<sub>4</sub>
下列化合物存在氢键的是() A: NH B: SiH C: O D: HS
下列化合物存在氢键的是() A: NH B: SiH C: O D: HS
在CO2、SiH4、BF3分子中,它们()。 A: 都是极性分子 B: CO、SiH是非极性分子,BF是极性分子 C: 都是非极性分子 D: CO是非极性分子,SiH、BF是极性分子
在CO2、SiH4、BF3分子中,它们()。 A: 都是极性分子 B: CO、SiH是非极性分子,BF是极性分子 C: 都是非极性分子 D: CO是非极性分子,SiH、BF是极性分子
下列化合物常温下呈液态的是()。 A: SiH B: GeH C: SiF D: SiCl
下列化合物常温下呈液态的是()。 A: SiH B: GeH C: SiF D: SiCl
下列分子中偶极矩最小的是() A: NH B: PH C: HS D: SiH
下列分子中偶极矩最小的是() A: NH B: PH C: HS D: SiH
PECVD运行工艺时,使用的气体() A: N B: SiH C: NH D: 以上皆是
PECVD运行工艺时,使用的气体() A: N B: SiH C: NH D: 以上皆是
下列氢化物与水反应不产生氢气的是()。 A: LiH B: SiH C: BH D: PH
下列氢化物与水反应不产生氢气的是()。 A: LiH B: SiH C: BH D: PH
下列物质的分子间只存在色散力的是() A: SiH B: NH C: HS D: CHOH
下列物质的分子间只存在色散力的是() A: SiH B: NH C: HS D: CHOH
在PECVD镀膜过程中,改变以下哪个参量可增加折射率()。 A: 增加SIH B: 增加NH C: 增加N D: 增加时间
在PECVD镀膜过程中,改变以下哪个参量可增加折射率()。 A: 增加SIH B: 增加NH C: 增加N D: 增加时间