对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。 A: NEMOS B: PDMOS C: NJFET D: PJFET E: NDMOS F: PEMOS

一个FET的输出特性曲线如图所示，则该FET的类型为______。[img=400x344]1803e2df5a262f6.png[/img] A: NEMOS B: NDMOS C: PEMOS D: PDMOS

一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]1803e2df65568de.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS

一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]18031f5768cdb1d.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS

一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]18033615ad5c637.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS

一场效应管漏极特性如图所示，则（1）该场效应管管型为（________）（填写如“NDMOS”、“PEMOS”等）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。[img=232x175]17e447c4b506548.png[/img]