某等容反应的正向反应活化能为Ef，逆向反应活化能为Eb，则Ef-Eb等于 （ ）
某等容反应的正向反应活化能为Ef，逆向反应活化能为Eb，则Ef-Eb等于 （ ）
在图1所示的结构中,若不计各杆自重,()杆为二力杆。 A: AD和EB B: AD和EF C: AD和FC D: EF和FC
在图1所示的结构中,若不计各杆自重,()杆为二力杆。 A: AD和EB B: AD和EF C: AD和FC D: EF和FC
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
EB循环时，不合格EB来自（）。
EB循环时，不合格EB来自（）。
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
晶体结合能Eb，自由原子总能量En，晶体总能量u的关系是什么？ A: (Eb=En／u) B: (Eb= En—u) C: (Eb=En+u) D: (Eb=En*u)
晶体结合能Eb，自由原子总能量En，晶体总能量u的关系是什么？ A: (Eb=En／u) B: (Eb= En—u) C: (Eb=En+u) D: (Eb=En*u)
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
在差别定价的条件下,如果A市场的价格高于B市场,并且用Ea和Eb表示A市场和B市场的需求弹性,则 A: Ea>Eb B: Ea〈Eb C: Ea>Eb Ea=Eb=-1 D: Ea=Eb=0
在差别定价的条件下,如果A市场的价格高于B市场,并且用Ea和Eb表示A市场和B市场的需求弹性,则 A: Ea>Eb B: Ea〈Eb C: Ea>Eb Ea=Eb=-1 D: Ea=Eb=0