Sipn结（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，er=11.9，临界击穿电场Ec=4E5V/cm）的反向击穿电压。 A: 10V B: 50V C: 100V D: 150V
Sipn结（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，er=11.9，临界击穿电场Ec=4E5V/cm）的反向击穿电压。 A: 10V B: 50V C: 100V D: 150V
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Sipn结（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，er=11.9，临界击穿电场Ec=4E5V/cm）的反向击穿电压。 A: 10V B: 50V C: 100V D: 150V