Sipn结（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，er=11.9，临界击穿电场Ec=4E5V/cm）的反向击穿电压。
A: 10V
B: 50V
C: 100V
D: 150V
A: 10V
B: 50V
C: 100V
D: 150V
举一反三
- 示波管的偏转灵敏度的单位是（）。 A: V/m B: m/V C: V/cm D: cm/V
- 智慧职教: （第七章）已知某有向图G=（V，E），其中V={V0，V1，V 2，V 3，V 4，V 5}，E={< V0，V1>，< V0，V 3>，< V1，V 5>，< V 2，V0>，< V 2，V 3>，< V 3，V 4>，< V 4，V1>，< V 4，V 5>}，G的拓扑序列为（ ）。
- 将文法G[V]改造成为LL(1)的。 G[V]：V→N|N[E] E→V|V+E N→i改造结果为： A: G′[V]：V→NA A→[E] E→VB B→+E N→i B: G′[V]：V→NA A→ε|[E] E→VB B→+E N→i C: G′[V]：V→NA A→ε|[E] E→VB B→ε|+E N→i D: G′[V]：V→NA A→ε|[E] E→VB B→ε|+E
- 室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×10^6cm^-3,掺杂浓度为ND=10^15cm^-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm^2/V·s和400cm^2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为cm^2
- 前间壁心肌梗死常出现特征性心电图改变的导联是（）。 A: Ⅱ、Ⅲ、aVF B: V<sub>3</sub>、V<sub>4</sub>、V<sub>5</sub> C: V<sub>1</sub>、V<sub>2</sub>、V<sub>3</sub> D: V<sub>5</sub>、aVL E: V<sub>1</sub>、V<sub>2</sub>、V<sub>3</sub>、V<sub>4</sub>、V<sub>5</sub>