方块电阻的测量方法是 A: 四探针法 B: 热探针法 C: 磨角染色法 D: 滚槽法
方块电阻的测量方法是 A: 四探针法 B: 热探针法 C: 磨角染色法 D: 滚槽法
结深的测量方法有 A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 范德堡法 D: 四探针法
结深的测量方法有 A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 范德堡法 D: 四探针法
扩散结深的测量方法 A: 磨角法 B: 滚槽法 C: 四探针法 D: 热探针法
扩散结深的测量方法 A: 磨角法 B: 滚槽法 C: 四探针法 D: 热探针法
以下方法中不属于结深测量方法的是: A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 阳极氧化法 D: 四探针法
以下方法中不属于结深测量方法的是: A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 阳极氧化法 D: 四探针法
单晶硅导电类型测量的方法是: A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 热探针法 D: 光电导衰减法
单晶硅导电类型测量的方法是: A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 热探针法 D: 光电导衰减法
外延层薄膜厚度测试方法是: 。 A: 层错法 B: 四探针法 C: 磨角法 D: 滚槽法
外延层薄膜厚度测试方法是: 。 A: 层错法 B: 四探针法 C: 磨角法 D: 滚槽法
常用于测量外延层的厚度的方法是: A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 范德堡法 D: 层错法
常用于测量外延层的厚度的方法是: A: 磨角染色法 B: 滚槽法 C: 范德堡法 D: 层错法
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