下列关于阈值电压的说法，不正确的是（） A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压 C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通 D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（） A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压 C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通 D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断
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