下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通
D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断
A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通
D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断
举一反三
- 中国大学MOOC: 当栅源电压大于阈值电压时，增强型NMOS管才能导通
- 增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。 A: 非饱和区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 线性区
- 下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（） A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B: MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C: MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在 D: 当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
- 一个衬底、源端、漏端都接地的增强型NMOS管（阈值电压VT>0），下列几种栅极电压VGS取值情况中哪个情况栅极的总电容最小？ A: VGS=0 B: VGS=VT C: VGS= VDD D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)
- 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压