• 2021-04-14 问题

    The Celts became the dominant group in Britain between the 8 th and 5 th centuries BC.

    The Celts became the dominant group in Britain between the 8 th and 5 th centuries BC.

  • 2022-05-29 问题

    When will the book be returned(). A: May 18th. B: May 8th. C: May 10th.

    When will the book be returned(). A: May 18th. B: May 8th. C: May 10th.

  • 2022-10-24 问题

    1个TH最多可同时对()路内线、()路外线、()路终端进行测试 A: 8、8、8 B: 4、4、4 C: 8、8、4 D: 8、4、4

    1个TH最多可同时对()路内线、()路外线、()路终端进行测试 A: 8、8、8 B: 4、4、4 C: 8、8、4 D: 8、4、4

  • 2022-06-06 问题

    When was the city destroyed A: On May 10th. B: On May 8th. C: On May 7th. D: On May 5 th.

    When was the city destroyed A: On May 10th. B: On May 8th. C: On May 7th. D: On May 5 th.

  • 2022-06-04 问题

    陆相沉积、氧化环境、风化层的Th/U大于()。 A: 5 B: 6 C: 7 D: 8

    陆相沉积、氧化环境、风化层的Th/U大于()。 A: 5 B: 6 C: 7 D: 8

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

  • 2022-06-09 问题

    &#91;音频&#93;Xin nghe đoạn văn hai rồi chọn đáp án cho câu hỏi 11-15:11.Lúc nào bạn Thanh bị đau bụng đột ngột? A: khoảng 8 giờ tối thứ ba B: khoảng 10 giờ tối thứ ba C: khoảng 8 giờ tối thứ hai D: khoảng 10 giờ tối thứ hai

    &#91;音频&#93;Xin nghe đoạn văn hai rồi chọn đáp án cho câu hỏi 11-15:11.Lúc nào bạn Thanh bị đau bụng đột ngột? A: khoảng 8 giờ tối thứ ba B: khoảng 10 giờ tối thứ ba C: khoảng 8 giờ tối thứ hai D: khoảng 10 giờ tối thứ hai

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

  • 2022-10-30 问题

    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

  • 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10