十进制数219转化为十六进制数是（） A: 98 B: 9f C: db D: ef
十进制数219转化为十六进制数是（） A: 98 B: 9f C: db D: ef
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
画图说明下列语句分配的存储空间及初始化的数据值： ⑴ byte_var db ’ABC’,10,10h,’EF’,3 dup(-1,?,3 dup(4)) ⑵ word_var dw 10h,-5,3 dup(?)
画图说明下列语句分配的存储空间及初始化的数据值： ⑴ byte_var db ’ABC’,10,10h,’EF’,3 dup(-1,?,3 dup(4)) ⑵ word_var dw 10h,-5,3 dup(?)
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
某拟建企业厂界与界外居民楼测点背景噪声值为55dB()、53dB(),预测投产后两处测点的噪声贡献值分别为55dB()、53dB(),厂界和居民楼处噪声预测值分别为(A)。A.58 dB(A)、56 dB(A)B.55 dB(A)、53 dB(A)C.55 dB(A)、56 dB(A)D.58 dB(A)、53 dB(A) A: 58 dB(A)、56 dB(A) B: 55 dB(A)、53 dB(A) C: 55 dB(A)、56 dB(A) D: 58 dB(A)、53 dB(A)
某拟建企业厂界与界外居民楼测点背景噪声值为55dB()、53dB(),预测投产后两处测点的噪声贡献值分别为55dB()、53dB(),厂界和居民楼处噪声预测值分别为(A)。A.58 dB(A)、56 dB(A)B.55 dB(A)、53 dB(A)C.55 dB(A)、56 dB(A)D.58 dB(A)、53 dB(A) A: 58 dB(A)、56 dB(A) B: 55 dB(A)、53 dB(A) C: 55 dB(A)、56 dB(A) D: 58 dB(A)、53 dB(A)
直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png
直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png
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