电力MOSFET导通：在栅源之间加（ ）电压，大于开启电压。
A: 正
B: 负
C: 零
D: 以上都可以
A: 正
B: 负
C: 零
D: 以上都可以
举一反三
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
- 关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是： A: Mosfet管一定是可以反向导通的； B: Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通； C: Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通； D: Mosfet管的线性区是饱和区；
- 电力MOSFET（N沟道增强型），从转移特性中可以看出，栅源极间电压需要大于门槛电压，器件才能可靠导通。
- 要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。 A: 在栅极加正电压 B: 在集电极加正电压 C: 在栅极加负电压 D: 在集电极加负电压