根据扩散的过程可以分为
A: 预淀积
B: 再分布
C: 替位式扩散
D: 间隙式扩散
A: 预淀积
B: 再分布
C: 替位式扩散
D: 间隙式扩散
A,B
举一反三
- 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 题3-2-4两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 根据扩散的过程可以分为 A: 替位式扩散 B: 间隙式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
- 根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散
内容
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
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替位式扩散指间隙杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。速度大于填隙式扩散。
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杂质以恒定的表面杂质浓度源源不断的通入,该扩散过程称为: A: 恒定源扩散 B: 预淀积 C: 有限源扩散 D: 再分布
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在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。 A: 替位式扩散 B: 间隙式扩散 C: 自由式扩散 D: 恒定扩散
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中国大学MOOC: 题3-2-4 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。