和DRAM相比,SRAM的性能是()。
A: 集成度高、存取周期快、位功耗低
B: 集成度高、存取周期快、位功耗高
C: 集成度低、存取周期快、位功耗高
D: 集成度低、存取周期慢、位功耗低
A: 集成度高、存取周期快、位功耗低
B: 集成度高、存取周期快、位功耗高
C: 集成度低、存取周期快、位功耗高
D: 集成度低、存取周期慢、位功耗低
举一反三
- 【单选题】和动态 MOS 存储器相比,双极性半导体存储器的性能是() A. 集成度高、存取周期快、位平均功耗少 B. 集成度高、存取周期快、位平均功耗大 C. 集成度低、存取周期快、位平均功耗大 D. 集成度低、存取周期快、位平均功耗少
- SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
- CMOS集成电路主要优点是(<br/>)。 A: 速度快,低功耗。B、<br/>高集成度,功耗低。C、高功率驱动,高集成度D、<br/>低功耗,低集成度。 B: 高集成度,功耗低。 C: 高功率驱动,高集成度 D: 低功耗,低集成度。
- 中国大学MOOC: SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
- SRAM存储器的工作特点是电平工作，速度快、功耗高、集成度低。（ ）