【单选题】和动态 MOS 存储器相比,双极性半导体存储器的性能是()
A. 集成度高、存取周期快、位平均功耗少 B. 集成度高、存取周期快、位平均功耗大 C. 集成度低、存取周期快、位平均功耗大 D. 集成度低、存取周期快、位平均功耗少
A. 集成度高、存取周期快、位平均功耗少 B. 集成度高、存取周期快、位平均功耗大 C. 集成度低、存取周期快、位平均功耗大 D. 集成度低、存取周期快、位平均功耗少
举一反三
- 和DRAM相比,SRAM的性能是()。 A: 集成度高、存取周期快、位功耗低 B: 集成度高、存取周期快、位功耗高 C: 集成度低、存取周期快、位功耗高 D: 集成度低、存取周期慢、位功耗低
- 衡量存储器性能的重要指标是 和 。 A: 存取速度 B: 存储容量 C: 集成度 D: 功耗
- 动态RAM电路简单，功耗低，集成度高，存储容量大。（ ）
- CMOS集成电路主要优点是(<br/>)。 A: 速度快,低功耗。B、<br/>高集成度,功耗低。C、高功率驱动,高集成度D、<br/>低功耗,低集成度。 B: 高集成度,功耗低。 C: 高功率驱动,高集成度 D: 低功耗,低集成度。
- 与动态RAM相比，静态RAM的特点有___ A: 位价高 B: 集成度高 C: 速度快 D: 功耗大