关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-05-30 当MOS晶体管栅和漏之间的电压差增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小,这一效应称为________效应。 当MOS晶体管栅和漏之间的电压差增大时,实际的反型沟道长度逐渐减小,这一效应称为________效应。 答案: 查看 举一反三 当时,漏源之间存在导电沟道的称为____型MOS管,漏源之间不存在导电沟道的称为型MOS管。 15.当时,漏源之间存在导电沟道的称为__型MOS管,漏源之间不存在导电沟道的称为¬¬¬型MOS管。 P沟道MOS管正常工作时,栅源电压和漏源电压的极性都与N沟道的相反。 当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型 N沟道的MOS场效应晶体管,随着漏源电压的增大,电子导电沟道逐渐减薄,达到饱和漏源电压时,源端出现夹断现象。