请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
举一反三
- CMOS负载管为___，倒相管为___，两个管各自的______短接。（ ） A: PMOS，NMOS，衬底和源端 B: PMOS，NMOS，衬底和漏端 C: NMOS，PMOS，衬底和源端 D: NMOS，PMOS，衬底和漏端
- CMOS反相器的组成是由PMOS管和NMOS管互补对称连接起来的,将PMOS管的栅极G1和NMOS管的栅极G2接在一起作输入,而其输出则是( )连接起来。 A: PMOS管的源极S1和NMOS管的源极S2 B: PMOS管的源极S1和NMOS管的漏极D2 C: PMOS管的漏极D1和NMOS管的源极S2 D: PMOS管的漏极D1和NMOS管的漏极D2
- 中国大学MOOC: 同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，如果漏源电流大小相同，则NMOS管的跨导更大。
- 同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，如果漏源电流大小相同，则NMOS管的跨导更大。 A: 正确 B: 错误
- PMOS管组成电流源时，实际电流方向一定是流出漏极的。