当uGD＝uGS(th)时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。
对
举一反三
- 当uGS增大到uGS(th)时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
- NMOS增强型场效应管形成导电沟道后,栅-漏电压等于开启电压时的状态称为预夹断
内容
- 0
欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th
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EMOS管导电沟道出现预夹断时的条件是 。
- 2
N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
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智慧职教: 当uGS =0时，( )导电沟道的称为增强型MOS管。
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增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0