使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取（ ）。
举一反三
- 使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取（ ）。 A: ~20V B: 5~15V C: 10~15V D: 5~10V
- 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。 A: 0-5 B: 5-10 C: 10-15 D: 15-20
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压