使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取（ ）。
10~15V
举一反三
- 使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取（ ）。 A: ~20V B: 5~15V C: 10~15V D: 5~10V
- 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。 A: 0-5 B: 5-10 C: 10-15 D: 15-20
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
内容
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电力MOSFET（N沟道增强型），从转移特性中可以看出，栅源极间电压需要大于门槛电压，器件才能可靠导通。
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中国大学MOOC: 使MOSFET开通的驱动电压一般为 V，使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。
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电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ）
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电力MOSFET栅源电压不能大于10伏，否则将导致绝缘层击穿_
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电力MOSFET栅源电压不能大于10伏，否则将导致绝缘层击穿