是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压
举一反三
- 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
- 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 A: 正确 B: 错误
- 关于IGBT的工作原理的描述,错误的是。 A: U_GE＞开启电压U_GE(th)时，MOSFET导通，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 B: 电导调制效应使电阻R_N增加，使通态压降增加。 C: 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 D: IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，有电导调制效应，具有很强的通流能力。
- IGBT导通时撤去栅极电压,IGBT依然导通
- 当IGBT的栅极电压大于开启电压时，IGBT导通