• 2021-04-14
    IGBT导通时撤去栅极电压,IGBT依然导通
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      随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高,控制电流(栅极电流)IG≈0,故驱动功率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势

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      智慧职教: IGBT中,UGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极电流,IGBT导通。

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      当 UGE为正且大于( ) ,IGBT导通。 A: 开启电压 B: 擎住电流 C: 维持电流 D: 导通电流

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      是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压

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      开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。