关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 IGBT导通的条件是：集、射极间加（）向电压，且栅、射极间加大于开启电压的正电压 IGBT导通的条件是：集、射极间加（）向电压，且栅、射极间加大于开启电压的正电压 答案： 查看 举一反三 IGBT上在集-射集电压大于开启电压时,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态。 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。 开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 A: 正确 B: 错误 智慧职教: IGBT属于场控器件，通断由栅射极电压决定。
