IGBT上在集-射集电压大于开启电压时,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态。
错
举一反三
内容
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IGBT之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断（） A: 栅极与漏极 B: 栅极与源极 C: 源极与漏极 D: 均不对
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开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
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开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。 A: 正确 B: 错误
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当 UGE为正且大于（ ） ，IGBT导通。 A: 开启电压 B: 擎住电流 C: 维持电流 D: 导通电流
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关于绝缘栅双极型晶体管的描述中,错误的是( ) A: 只要控制电压大于开启电压,lGBT正向工作时即可导通 B: 只要给控制端加大于开启电压的脉冲,IGBT正向工作时即可导通 C: 正常使用中,常控制IGBT工作在正向阻断区和饱和区 D: IGBT开关速度高,开关损耗小,但是控制端输入阻抗高