【多选题】9 、 CVD 淀积法的特点有() (A) 淀积温度比较低 (B) 吸附不会影响淀积速度 (C) 淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 (D) 样品本身不参与化学反应
A. 淀积温度比较低 B. 吸附不会影响淀积速度 C. 淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 D. 样品本身不参与化学反应
A. 淀积温度比较低 B. 吸附不会影响淀积速度 C. 淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 D. 样品本身不参与化学反应
举一反三
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- 以下哪些属于热化学气相淀积 ( ) A: 常压化学气相淀积 B: 金属有机物化学气相淀积 C: 低压化学气相淀积 D: 光化学气相淀积
- CVD的含义是 A: 化学气相淀积 B: 化学气相淀积
- LPCVD的含义是（）。 A: 常压化学气相淀积 B: 低压化学气相淀积 C: 等离子体化学气相淀积 D: 光化学气相淀积