LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B: 淀积速率受气相质量输运控制；
C: 淀积速率受表面化学反应控制；
D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B: 淀积速率受气相质量输运控制；
C: 淀积速率受表面化学反应控制；
D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
举一反三
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- 中国大学MOOC: LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
- LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
- 【简答题】低压化学气相淀积的淀积速率主要受什么因素控制,为什么?
- 在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制