关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存 AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存 答案： 查看 举一反三 晶格畸变引起禁带宽度变化，在晶格压缩区禁带宽度变大。 通常绝缘体的禁带宽度比半导体禁带宽度大。 常温下，下列材料中禁带宽度最大的是（ ） A: Si B: GaAs C: GaN 发光二极管所发出的光的峰值波长与发光二极管的半导体的（ ）成（ ），与（ ）成（ ）。 A: 禁带宽度；正比；普朗克常数；正比。 B: 禁带宽度；反比；普朗克常数；正比。 C: 禁带宽度；正比；普朗克常数；反比。 D: 禁带宽度；反比；普朗克常数；反比。 砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有（） A: 吸收系数小 B: 禁带宽度大 C: 耐辐射性能好 D: 可以做得很薄
