【单选题】下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是()
A. 按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。
B. 刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。
C. 刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。
D. 集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性
A. 按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。
B. 刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。
C. 刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。
D. 集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性
举一反三
- DRAM存储器芯片的刷新是按（ ）进行的。 A: 行 B: 列 C: 存储单元 D: 存储元
- DRAM存储位元必须定期地刷新，刷新周期是指连续两次刷新的最大时间间隔。
- 以下为某动态RAM的的刷新时间分配示意图如下,它的刷新方式为 A: 集中刷新 B: 分散刷新 C: 上图不是刷新时间分布图 D: 异步刷新
- 中国大学MOOC: 随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。动态RAM基础电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。动态RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部单元集中一段时间逐行进行刷新，刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”，又称为“死区”，其所占的比率称为“死时间率”。某动态RAM的刷新时间分配示意图如下，它的刷新方式为_____,死时间率是____http://img1.ph.126.net/UCx31NCzl0rkum0s49jyIg==/6630809380466674696.png
- 有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，问: （1）需要多少片DRAM芯片？ （2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？