IGBT中由于有双极型晶体管存在，带来了电导调制效应使IGBT导通电阻变小，但也引入了少数载流子储存现象，使IGBT开关速度低于电力MOS管（）
举一反三
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 关于IGBT，下面（ ）正确。 A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管； B: IGBT存在电导调制效应； C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快； D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
- 关于IGBT的工作原理的描述,错误的是。 A: U_GE＞开启电压U_GE(th)时，MOSFET导通，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 B: 电导调制效应使电阻R_N增加，使通态压降增加。 C: 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 D: IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，有电导调制效应，具有很强的通流能力。