在杂质半导体中少子的数量与_________有关。
A: 掺杂浓度
B: 温度
C: 电流大小
D: 电压大小
A: 掺杂浓度
B: 温度
C: 电流大小
D: 电压大小
举一反三
- 在杂质半导体中少子的数量与有关 A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 材质 D: 纯度
- 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。（a. 电子电流、b.空穴电流）
- 在杂质半导体中少子的数量主要与有关。 A: 杂质类型 B: 掺杂浓度 C: 温度 D: 光照
- 杂质半导体中少子的浓度由（ ）决定。 A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 外加电压
- 在杂质半导体中多子的数量与( )有关。 A: 掺杂浓度 B: 温度