杂质半导体中少子的浓度由（ ）决定。
A: 掺杂浓度
B: 温度
C: 外加电压
A: 掺杂浓度
B: 温度
C: 外加电压
举一反三
- 在杂质半导体中,少子的浓度主要取决于(<br/>)。 A: 温度 B: 晶体缺陷 C: 掺杂工艺 D: 掺杂浓度
- 在杂质半导体中少子的数量与_________有关。 A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 电流大小 D: 电压大小
- 杂质半导体中多数载流子的浓度主要由__决定，少数载流子的浓度主要由__决定。（ ） A: 温度，温度 B: 掺杂浓度，温度 C: 温度，掺杂浓度 D: 不确定
- 在杂质半导体中少子的数量主要与有关。 A: 杂质类型 B: 掺杂浓度 C: 温度 D: 光照
- 杂质半导体中多子浓度取决于（ ），少子浓度主要与（ ）有关。（只填序号） A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、杂质类型