晶体硅中杂质氧主要来源于
A: 外界空气的进入
B: 原材料
C: 随加入惰性气体时进入
D: 晶体生长过程中石英坩埚的污染
A: 外界空气的进入
B: 原材料
C: 随加入惰性气体时进入
D: 晶体生长过程中石英坩埚的污染
举一反三
- SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。 A: 反应温度在280℃~300℃之间 B: 硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥 C: 晶体生长速度 D: 合成时加入少量的催化剂，可降低温度
- 下面哪种是硅晶体中的点缺陷？ A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中荷一个正电的空位 C: 晶体中的一个空洞 D: 在硅晶体中聚集的痕量碳
- 下面哪种是硅晶体中的点缺陷（） A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中的带一个正电的空位 C: 硅晶体有少量的钠 D: 层错
- SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制晶体生长速度。
- 下列有关原子晶体的叙述中,正确的是 A: 原子晶体中只存在非极性共价键 B: 在SiO2晶体中，1个硅原子和2个氧原子形成2个共价键 C: 石英晶体是直接由硅原子和氧原子通过共价键所形成的空间网状结构的晶体 D: 原子晶体的熔点一定比金属晶体的高