关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。 A: 反应温度在280℃~300℃之间 B: 硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥 C: 晶体生长速度 D: 合成时加入少量的催化剂，可降低温度 SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。A: 反应温度在280℃~300℃之间B: 硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥C: 晶体生长速度D: 合成时加入少量的催化剂，可降低温度 答案： 查看 举一反三 SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制晶体生长速度。 晶体硅中杂质氧主要来源于 A: 外界空气的进入 B: 原材料 C: 随加入惰性气体时进入 D: 晶体生长过程中石英坩埚的污染 硅外延生长工艺包括 A: 衬底制备 B: 原位HCl腐蚀 C: 生长温度、压力、速度 D: 尾气处理 硅外延生长工艺包括（）。 A: A衬底制备 B: B原位HCl腐蚀 C: C生长温度，生长压力，生长速度 D: D尾气的处理 下面哪种是硅晶体中的点缺陷（） A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中的带一个正电的空位 C: 硅晶体有少量的钠 D: 层错
