下列特点当中,哪些是脉冲激光沉积技术制备薄膜的优点?
A: 与靶材成分容易一致
B: 靶材易于制备
C: 生长过程可原位引入多种气体
D: 可制备的薄膜种类多
A: 与靶材成分容易一致
B: 靶材易于制备
C: 生长过程可原位引入多种气体
D: 可制备的薄膜种类多
举一反三
- 采用PECVD技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含()。 A: 电离 B: 运输 C: 沉积 D: 粘附
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有()。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 下列关于真空蒸发法和溅射法镀膜对比叙述正确的是() A: 溅射法沉积原子的能量通常更高 B: 真空蒸发法所镀薄膜在基材上的附着力更好 C: 溅射的靶材不能是极难熔的材料 D: 制备合金薄膜时,利用蒸发法其成分的控制性能更好
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。
- 利用热蒸发镀膜技术制备金属铝薄膜,所制备的铝薄膜不会呈现五颜六色,这是因为( )。