化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。
A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅
B: 低压化学气相沉积制备多晶硅
C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜
D: 等离子增强化学气相沉积
A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅
B: 低压化学气相沉积制备多晶硅
C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜
D: 等离子增强化学气相沉积
举一反三
- 以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。 A: 液相外延（LPE）法 B: 化学气相沉积（CVD）法 C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。 A: 正确 B: 错误
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。 A: 正确 B: 错误
- 以下方法可用来制备晶体硅薄膜的有（ ）。 A: 热辅助化学气相沉积（TA-CVD） B: 液相外延(LPE) C: 近空间气相输运(CSVT) D: 和离子辅助沉积（IAD）